Las obleas SIMOX (Separación por oxígeno implantado) son sustratos de silicio avanzados que se utilizan en la producción de dispositivos semiconductores. Son conocidos por su alta calidad y confiabilidad, lo que los hace ideales para diversas aplicaciones en la industria electrónica.

 

Las obleas SIMOX se crean implantando altas dosis de iones de oxígeno en un sustrato de silicio y luego calentándolo a alrededor de 1300 grados. Esto hace que los iones de oxígeno migren, dejando una fina capa de dióxido de silicio (SiO2) entre el sustrato de silicio y una capa más gruesa de silicio monocristalino. La oblea SIMOX resultante consta de una capa de silicio monocristalino de alta calidad sobre una capa fina y uniforme de SiO2, que sirve como capa aislante.

 

Una de las principales ventajas de las obleas SIMOX es su capacidad para minimizar la capacitancia parásita, lo que resulta en una mejor velocidad del circuito y un menor consumo de energía. También ofrecen un excelente aislamiento entre dispositivos, lo que permite una mayor densidad de integración y una reducción de la diafonía. Además, las obleas SIMOX tienen una alta resistencia a la radiación ionizante, lo que las hace adecuadas para su uso en entornos hostiles.

 

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